国内专业的IC销售商 --中其伟业科技有限公司
简体中文

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6680A - 场效应管 MOSFET N SO-8

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6680A - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS6680A
库存状态：上海130, 新加坡373, 英国1851
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.20
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 7.20
10  - 99 CNY 6.20
100  - 249 CNY 4.80
250  - 499 CNY 4.10
500  - 749 CNY 3.60
750+  CNY 3.10

订购
描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:12.5A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0095ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:2V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS6680A
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:12.5A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：

重量（公斤）：0.00009
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:12.5A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0095ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:2V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS6680A
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:12.5A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)