简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6912A - 场效应管 MOSFET 双 N SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS6912A
库存状态：上海 0 , 新加坡4572, 英国2960
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 10.37
价格：
库存编号：
制造商编号：FDS6912A
库存状态：上海 0 , 新加坡4572, 英国2960
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 10.37
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 10.37 |
| 10 - 99 | CNY 8.33 |
| 100 - 999 | CNY 6.42 |
| 1000+ | CNY 4.17 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态???阻, Rds(on):0.035ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.9V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDS6912A
- 功率, Pd:1.6W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:20A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.00009
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态???阻, Rds(on):0.035ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.9V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDS6912A
- 功率, Pd:1.6W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:20A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
