FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW262P - 场效应管 MOSFET P TSSOP-8
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDW262P
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国50
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 14.50
价格:
库存编号:
制造商编号:FDW262P
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包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 14.50
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 14.50 |
| 10 - 99 | CNY 10.40 |
| 100 - 249 | CNY 8.32 |
| 250+ | CNY 6.35 |
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-4.5A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.047ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:8V
- 功耗:1.3W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TSSOP
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:262P
- 功率, Pd:1.3W
- 器件标号:2
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电容值, Ciss 典型值:1193pF
- 电流, Id 连续:4.5A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.1ohm
- 通态电??, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.047ohm
- 针脚配置:D(1+5+8), S(2+3+6+7), G(4)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性:
重量(公斤):0.00003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-4.5A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.047ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:8V
- 功耗:1.3W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TSSOP
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:262P
- 功率, Pd:1.3W
- 器件标号:2
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电容值, Ciss 典型值:1193pF
- 电流, Id 连续:4.5A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.1ohm
- 通态电??, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.047ohm
- 针脚配置:D(1+5+8), S(2+3+6+7), G(4)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

