FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD18N20V2 - 场效应管 MOSFET N D-PAK

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FQD18N20V2
库存状态：上海50, 新加坡12, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.90
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 12.90

描述信息：

晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:200V
开态??阻, Rds(on):0.14ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:FQD18N20V2
功率, Pd:2.5W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GP
总功率, Ptot:2.5W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:15A
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

产品属性：

重量（公斤）：0.00029
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:200V
开态??阻, Rds(on):0.14ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:FQD18N20V2
功率, Pd:2.5W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GP
总功率, Ptot:2.5W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:15A
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)