简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQP18N20V2 - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FQP18N20V2
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.20
价格：
库存编号：
制造商编号：FQP18N20V2
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 7.20 |
| 25 - 99 | CNY 6.72 |
| 100 - 249 | CNY 5.44 |
| 250+ | CNY 4.65 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:18A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开??电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:123W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:123W
- 外宽:10.67mm
- 外部长度/高度:4.83mm
- 封装类型:TO-220
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:18A
- 电流, Idm 脉冲:72A
- 表面安装器件:通孔???装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.14ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.00203
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:18A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开??电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:123W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:123W
- 外宽:10.67mm
- 外部长度/高度:4.83mm
- 封装类型:TO-220
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:18A
- 电流, Idm 脉冲:72A
- 表面安装器件:通孔???装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.14ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
