简体中文STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - 场效应管 MOSFET N 1000V 6A TO-220
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP8NK100Z
库存状态：上海 0 , 新加坡85, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 32.30
价格：
库存编号：
制造商编号：STP8NK100Z
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多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 32.30
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 32.30 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:6.5A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开??电阻, Rds(on):2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3.75V
- 功耗:160W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:STP8NK100Z
- 功率, Pd:160W
- 封装类型:TO-220
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:160W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:4.3A
- 电流, Idm 脉冲:16A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:6.5A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开??电阻, Rds(on):2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3.75V
- 功耗:160W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:STP8NK100Z
- 功率, Pd:160W
- 封装类型:TO-220
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:160W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:4.3A
- 电流, Idm 脉冲:16A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
