简体中文NXP - PHK12NQ10T - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PHK12NQ10T
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国494
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.86
价格：
库存编号：
制造商编号：PHK12NQ10T
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国494
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.86
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 13.86 |
| 25 - 99 | CNY 9.99 |
| 100+ | CNY 6.82 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:11.6A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):28mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:8.9W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:PHK12NQ10T
- 功率, Pd:8.9W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:11.6A
- 电流, Idm 脉冲:48A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:11.6A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):28mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:8.9W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:PHK12NQ10T
- 功率, Pd:8.9W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:11.6A
- 电流, Idm 脉冲:48A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
