NXP - PMWD15UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.0185ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.45V
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)
- SMD标号:15UN
- 功率, Pd:4.2W
- 器件标号:2
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 电容值, Ciss 典型值:1450pF
- 电流, Id 连续:11.6A
- 电流, Idm 脉冲:46.4A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.0285ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0185ohm
产品属性:
重量(公斤):0.00003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.0185ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.45V
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)
- SMD标号:15UN
- 功率, Pd:4.2W
- 器件标号:2
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 电容值, Ciss 典型值:1450pF
- 电流, Id 连续:11.6A
- 电流, Idm 脉冲:46.4A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.0285ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0185ohm