STMICROELECTRONICS - STD2N50-1 - 场效应管 MOSFET N I-PAK
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):5.5ohm
- 功耗:45W
- 封装类型:TO-251
- 功率, Pd:45W
- 封装类型:TO-251 (I-Pak)
- 封装类型, 替代:I-PAK
- 引线长度:9.65mm
- 引脚节距:2.28mm
- 时间, t off:15ns
- 时间, t on:85ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:8A
产品属性:
重量(公斤):0.00031
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):5.5ohm
- 功耗:45W
- 封装类型:TO-251
- 功率, Pd:45W
- 封装类型:TO-251 (I-Pak)
- 封装类型, 替代:I-PAK
- 引线长度:9.65mm
- 引脚节距:2.28mm
- 时间, t off:15ns
- 时间, t on:85ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:8A

