简体中文TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60CP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK
制造商：TAIWAN SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：TSM1N60CP
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.20
价格：
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多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 6.20 |
| 25 - 99 | CNY 4.42 |
| 100 - 249 | CNY 2.86 |
| 250 - 999 | CNY 2.41 |
| 1000+ | CNY 2.18 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:50W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:50W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 应用代码:GPSW
- 时间, trr 典型值:21ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:1A
- 电流, Idm 脉冲:9A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:8ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:50W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:50W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 应用代码:GPSW
- 时间, trr 典型值:21ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:1A
- 电流, Idm 脉冲:9A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:8ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
