TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2N60CP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK

制造商：TAIWAN SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：TSM2N60CP
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国18
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.12
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 7.12
25 - 99	CNY 5.06
100 - 249	CNY 3.30
250+	CNY 2.77

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):4.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:50W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
时间, trr 典型值:21ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:4.4ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V

产品属性：

重量（公斤）：0.0003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):4.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:50W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
时间, trr 典型值:21ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:4.4ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V