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INFINEON - SPD02N60C3 - 场效应管 MOSFET COOLMOS N D-PAK

INFINEON - SPD02N60C3 - 场效应管 MOSFET COOLMOS N D-PAK
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：SPD02N60C3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.02
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 8.02
25  - 99 CNY 6.91
100+  CNY 5.39

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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:1.8A
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):3ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:25W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:D-PAK
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:25W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:50mJ
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型, 替代:D-PAK
  • 总功率, Ptot:25W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最大重复雪崩能量 Ear:0.07mJ
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:650V
  • 电压变化率 dv/dt:50V/ns
  • 电流, Id 连续:1.8A
  • 电流, Idm 脉??:5.4A
  • 电流, Idss 最大:0.001mA
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:3.0ohm
  • 重复雪崩电流, Iar:1.8A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V
产品属性：

重量（公斤）：0.0036
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:1.8A
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):3ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:25W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:D-PAK
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:25W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:50mJ
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型, 替代:D-PAK
  • 总功率, Ptot:25W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最大重复雪崩能量 Ear:0.07mJ
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:650V
  • 电压变化率 dv/dt:50V/ns
  • 电流, Id 连续:1.8A
  • 电流, Idm 脉??:5.4A
  • 电流, Idss 最大:0.001mA
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:3.0ohm
  • 重复雪崩电流, Iar:1.8A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V