简体中文INFINEON - BSP171P - 场效应管 MOSFET P SOT-223
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：BSP171P
库存状态：上海80, 新加坡33, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.80
价格：
库存编号：
制造商编号：BSP171P
库存状态：上海80, 新加坡33, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 5.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:P 沟道
- 漏极电流, Id 最大值:1.45A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1.5W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:BSP171P
- 功率, Pd:1.8W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:70mJ
- 外宽:6.7mm
- 外部深度:7.3mm
- 外部长度/高度:1.7mm
- 封装类型:SOT-223
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:1.8W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-60V
- 电压变化率 dv/dt:6000V/μs
- ??流, Id 连续:1.45A
- 电流, Idm 脉冲:5.8A
- 电流, Idss 典型值:0.00001μA
- 电流, Idss 最大:0.001mA
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-2V
产品属性：
重量（公斤）：0.15
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P 沟道
- 漏极电流, Id 最大值:1.45A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1.5W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:BSP171P
- 功率, Pd:1.8W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:70mJ
- 外宽:6.7mm
- 外部深度:7.3mm
- 外部长度/高度:1.7mm
- 封装类型:SOT-223
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:1.8W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-60V
- 电压变化率 dv/dt:6000V/μs
- ??流, Id 连续:1.45A
- 电流, Idm 脉冲:5.8A
- 电流, Idss 典型值:0.00001μA
- 电流, Idss 最大:0.001mA
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-2V
