简体中文STMICROELECTRONICS - STB40NF10 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STB40NF10
库存状态：上海 0 , 新加坡253, 英国456
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 20.80
价格：
库存编号：
制造商编号：STB40NF10
库存状态：上海 0 , 新加坡253, 英国456
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 20.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY 20.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:50A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 工作温度范围:-50oC to +175oC
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- 功率, Pd:150W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:150mJ
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电容值, Ciss 典型值:1780pF
- 电流, Id 连续:50A
- 电流, Idm 脉冲:200A
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.8V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:50A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 工作温度范围:-50oC to +175oC
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- 功率, Pd:150W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:150mJ
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电容值, Ciss 典型值:1780pF
- 电流, Id 连续:50A
- 电流, Idm 脉冲:200A
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.8V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
