简体中文IXYS RF - IXZ211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：IXZ211N50
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：IXZ211N50
库存状态：停产
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最小订单量：1
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单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:500V
- 电流, Id 连续:11A
- 最大功耗:590W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-275
- 晶体管极性:N
- 上升时间:4ns
- 功率, Pd:540W
- 封装类型:DE-275
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:790pF
- 电流, Idm 脉冲:60A
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:500V
- 电流, Id 连续:11A
- 最大功耗:590W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-275
- 晶体管极性:N
- 上升时间:4ns
- 功率, Pd:540W
- 封装类型:DE-275
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:790pF
- 电流, Idm 脉冲:60A
