简体中文IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：DE275X2-102N06A
库存状态：上海 0 , 新加坡3, 英国13
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 434.20
价格：
库存编号：
制造商编号：DE275X2-102N06A
库存状态：上海 0 , 新加坡3, 英国13
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 434.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 434.20 |
| 10+ | CNY 425.80 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:1000V
- 电流, Id 连续:16A
- 最大功耗:1.18kW
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-275X2
- 晶体管极性:N
- 上升时间:2ns
- 功率, Pd:1180W
- 封装类型:DE-275X2
- 开态电阻, Rds(on):0.8ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:1800pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:1000V
- 电流, Id 连续:16A
- 最大功耗:1.18kW
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-275X2
- 晶体管极性:N
- 上升时间:2ns
- 功率, Pd:1180W
- 封装类型:DE-275X2
- 开态电阻, Rds(on):0.8ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:1800pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
