简体中文SANYO - 2SK3746 - 场效应管 MOSFET N TO-3PB
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：2SK3746
库存状态：上海 0 , 新加坡4, 英国200
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 42.30
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK3746
库存状态：上海 0 , 新加坡4, 英国200
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 42.30
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 42.30 |
| 25 - 99 | CNY 34.12 |
| 100 - 249 | CNY 26.97 |
| 250+ | CNY 24.37 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:2A
- 电压, Vds 最大:1500V
- 开态电阻, Rds(on):10ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:TO-3PB
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:TO-3PB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1500V
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:4A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:2A
- 电压, Vds 最大:1500V
- 开态电阻, Rds(on):10ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:TO-3PB
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:TO-3PB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1500V
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:4A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
