VISHAY SILICONIX - SI3441BDV-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P TSOP-6

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI3441BDV-T1-E3
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国65
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.00
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 4.00
25 - 99	CNY 3.00
100+	CNY 2.40

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.45A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.09ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-850mV
功耗:0.86W
封装类型:TSOP
针脚数:6
SMD标号:B1xxx
功率, Pd:0.86W
外宽:3mm
外部深度:2.85mm
外部长度/高度:1.45mm
封装类型:TSOP
时间, trr 典型值:50ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds:20V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:2.45A
电流, Idm 脉冲:16A
电荷, Qrr @ Tj = 25C 典型值:5.2nC
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.13ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.09ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.85V
阈值电压, Vgs th 最低:-0.45V

产品属性：

重量（公斤）：0.00008
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.45A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.09ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-850mV
功耗:0.86W
封装类型:TSOP
针脚数:6
SMD标号:B1xxx
功率, Pd:0.86W
外宽:3mm
外部深度:2.85mm
外部长度/高度:1.45mm
封装类型:TSOP
时间, trr 典型值:50ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds:20V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:2.45A
电流, Idm 脉冲:16A
电荷, Qrr @ Tj = 25C 典型值:5.2nC
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.13ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.09ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.85V
阈值电压, Vgs th 最低:-0.45V