简体中文INFINEON - SPB11N60S5 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：SPB11N60S5
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 39.18
价格：
库存编号：
制造商编号：SPB11N60S5
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 39.18
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 39.18 |
| 25 - 99 | CNY 27.88 |
| 100 - 249 | CNY 23.17 |
| 250+ | CNY 17.55 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:125W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D2-PAK
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:11N60S5
- 功率, Pd:125W
- 封装类型:D2-PAK
- 总功率, Ptot:125W
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:600V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:22A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:125W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D2-PAK
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:11N60S5
- 功率, Pd:125W
- 封装类型:D2-PAK
- 总功率, Ptot:125W
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:600V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:22A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5.5V
