FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDB8880 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDB8880
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2495
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.60
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 8.60
10 - 99	CNY 7.80
100 - 249	CNY 5.94
250+	CNY 5.20

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11A
电压, Vds 最大:30V
开态电???, Rds(on):0.0095ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:55W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:D2-PAK
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:FDB8880
功率, Pd:55W
外宽:10.54mm
外部深度:15.49mm
外部长度/高度:4.69mm
封装类型:D2-PAK
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:54A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1.2V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11A
电压, Vds 最大:30V
开态电???, Rds(on):0.0095ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:55W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:D2-PAK
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:FDB8880
功率, Pd:55W
外宽:10.54mm
外部深度:15.49mm
外部长度/高度:4.69mm
封装类型:D2-PAK
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:54A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1.2V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)