FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDD8444 - 场效应管 MOSFET N D-PAK

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDD8444
库存状态：上海50, 新加坡421, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 23.90
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 23.90
10 - 99	CNY 21.50
100 - 249	CNY 16.45
250+	CNY 14.39

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.0052ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:153W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:FDD8444
功率, Pd:227W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GP
时间, trr 典型值:51ns
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.66°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:17.5A
电流, Idm 脉冲:80A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

产品属性：

重量（公斤）：0.003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.0052ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:153W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:FDD8444
功率, Pd:227W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GP
时间, trr 典型值:51ns
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.66°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:17.5A
电流, Idm 脉冲:80A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)