简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP61N20 - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDP61N20
库存状态：上海 0 , 新加坡31, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 32.00
价格：
库存编号：
制造商编号：FDP61N20
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 32.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 32.00 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:6.1A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.041ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:5V
- 功耗:417W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:417W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:41.7mJ
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:61A
- 电流, Idm 脉冲:244A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:6.1A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.041ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:5V
- 功耗:417W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:417W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:41.7mJ
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:61A
- 电流, Idm 脉冲:244A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
