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DIODES INC. - ZXMP2120G4 - 场效应管 MOSFET P SOT-223

DIODES INC. - ZXMP2120G4 - 场效应管 MOSFET P SOT-223
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:ZXMP2120G4
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国187
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 8.64
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 8.64
25  - 99 CNY 6.34
100  - 249 CNY 4.31
250+  CNY 3.69

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-200mA
  • 电压, Vds 最大:200V
  • 开态电阻, Rds(on):25ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:2W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 外宽:6.7mm
  • 外部深度:7.3mm
  • 外部长度/高度:1.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 应用代码:DCDC
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-200V
  • 电流, Id 连续:0.2A
  • 电流, Idm 脉冲:1A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V
产品属性:

重量(公斤):0.111
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-200mA
  • 电压, Vds 最大:200V
  • 开态电阻, Rds(on):25ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:2W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 外宽:6.7mm
  • 外部深度:7.3mm
  • 外部长度/高度:1.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 应用代码:DCDC
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-200V
  • 电流, Id 连续:0.2A
  • 电流, Idm 脉冲:1A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V