简体中文STMICROELECTRONICS - STP12NM50N - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP12NM50N
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 27.46
价格：
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 27.46
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 27.46 |
| 10 - 99 | CNY 24.60 |
| 100 - 249 | CNY 18.41 |
| 250 - 499 | CNY 14.62 |
| 500 - 999 | CNY 12.46 |
| 1000+ | CNY 11.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:25V
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-220
- 功率, Pd:100W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:350mJ
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:500V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:880pF
- 电流, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:44A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.38ohm
- 重复雪崩电流, Iar:5A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th ???高:4V
- 隔离电压:2500V
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:25V
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-220
- 功率, Pd:100W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:350mJ
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:500V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:880pF
- 电流, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:44A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.38ohm
- 重复雪崩电流, Iar:5A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th ???高:4V
- 隔离电压:2500V
