简体中文STMICROELECTRONICS - STD12NM50N - 场效应管 MOSFET N 500V D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD12NM50N
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1848
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.40
价格：
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最小订单量：1
多重订单量：1
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 17.40 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:550V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.5V
- 功耗:100W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:550V
- 电压, Vds N沟道 1:450V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:44A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.38ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:550V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.5V
- 功耗:100W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:550V
- 电压, Vds N沟道 1:450V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:44A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.38ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
