简体中文STMICROELECTRONICS - STD22NM20NT4 - 场效应管 MOSFET N 200V D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD22NM20NT4
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.105ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 功耗:100W
- 封装类型:D-PAK
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:200V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:22A
- 电流, Idm 脉冲:88A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.105ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.2V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.105ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 功耗:100W
- 封装类型:D-PAK
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:200V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:22A
- 电流, Idm 脉冲:88A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.105ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.2V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
