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STMICROELECTRONICS - STB25NM60N - 场效应管 MOSFET N D2-PAK

STMICROELECTRONICS - STB25NM60N - 场效应管 MOSFET N D2-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STB25NM60N
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：

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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:21A
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):0.17ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:160W
  • 封装类型:D2-PAK
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:160W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:850mJ
  • 封装类型:D2-PAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电容值, Ciss 典型值:2540pF
  • 电流, Id 连续:20A
  • 电流, Idm 脉冲:80A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.17ohm
  • 重复雪崩电流, Iar:10A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：

重量（公斤）：0.0015
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:21A
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):0.17ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:160W
  • 封装类型:D2-PAK
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:160W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:850mJ
  • 封装类型:D2-PAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电容值, Ciss 典型值:2540pF
  • 电流, Id 连续:20A
  • 电流, Idm 脉冲:80A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.17ohm
  • 重复雪崩电流, Iar:10A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V