简体中文STMICROELECTRONICS - STB60NF06T4 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STB60NF06T4
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国362
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.50
价格：
库存编号：
制造商编号：STB60NF06T4
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国362
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 13.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:60A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.016ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:110W
- 工作温度范围:-65oC to +175oC
- 封装类型:D2-PAK
- 功率, Pd:110W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:360mJ
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电容值, Ciss 典型值:1810pF
- 电流, Id 连续:60A
- 电流, Idm 脉冲:240A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.016ohm
- 重复雪崩电流, Iar:30A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0015
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:60A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.016ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:110W
- 工作温度范围:-65oC to +175oC
- 封装类型:D2-PAK
- 功率, Pd:110W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:360mJ
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电容值, Ciss 典型值:1810pF
- 电流, Id 连续:60A
- 电流, Idm 脉冲:240A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.016ohm
- 重复雪崩电流, Iar:30A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
