简体中文STMICROELECTRONICS - STD4NK50ZD - 场效应管 MOSFET N D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD4NK50ZD
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):2.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 功耗:45W
- 封装类型:D-PAK
- 功率, Pd:45W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:500V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:3A
- 电流, Idm 脉冲:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.00031
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):2.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 功耗:45W
- 封装类型:D-PAK
- 功率, Pd:45W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:500V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:3A
- 电流, Idm 脉冲:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.7V
