简体中文STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - 场效应管 MOSFET N D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD4NK60ZT4
库存状态：上海 0 , 新加坡37, 英国219
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.60
价格：
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制造商编号：STD4NK60ZT4
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 7.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:70W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D-PAK
- 功率, Pd:70W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:600V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:16A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.00031
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:70W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D-PAK
- 功率, Pd:70W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:600V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:16A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.7V
