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STMICROELECTRONICS - STD5NK60ZT4 - 场效应管 MOSFET N D-PAK

STMICROELECTRONICS - STD5NK60ZT4 - 场效应管 MOSFET N D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD5NK60ZT4
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：

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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):1.6ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 功耗:90W
  • 封装类型:D-PAK
  • 功率, Pd:90W
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:650V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1.6ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1.2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.6V
产品属性：

重量（公斤）：0.00031
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):1.6ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 功耗:90W
  • 封装类型:D-PAK
  • 功率, Pd:90W
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:650V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1.6ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1.2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.6V