简体中文STMICROELECTRONICS - STE40NK90ZD - 场效应管 MOSFET N SOT-227
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STE40NK90ZD
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 462.00
价格：
库存编号：
制造商编号：STE40NK90ZD
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 462.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 462.00 |
| 25 - 99 | CNY 363.10 |
| 100+ | CNY 350.30 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:40A
- 电压, Vds 最大:900V
- 开态电阻, Rds(on):0.17ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:600W
- 工作温度范围:-65oC to +150oC
- 封装类型:ISOTOP
- 功率, Pd:600W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:900V
- 电流, Id 连续:40A
- 电流, Idm 脉冲:160A
- 表面安装器件:螺丝安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.17ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
产品属性：
重量（公斤）：0.0274
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:40A
- 电压, Vds 最大:900V
- 开态电阻, Rds(on):0.17ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:600W
- 工作温度范围:-65oC to +150oC
- 封装类型:ISOTOP
- 功率, Pd:600W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:900V
- 电流, Id 连续:40A
- 电流, Idm 脉冲:160A
- 表面安装器件:螺丝安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.17ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
