简体中文STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - 场效应管 MOSFET N TO-220FP
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STF3NK80Z
库存状态：上海 0 , 新加坡10, 英国235
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.20
价格：
库存编号：
制造商编号：STF3NK80Z
库存状态：上海 0 , 新加坡10, 英国235
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 12.20 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2.5A
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):4.5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:25W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-220FP
- 功率, Pd:25W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
- 封装类型:TO-220FP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:800V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电流, Id 连续:2.5A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:4.5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00204
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2.5A
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):4.5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:25W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-220FP
- 功率, Pd:25W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
- 封装类型:TO-220FP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:800V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电流, Id 连续:2.5A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:4.5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
