简体中文STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP80NF55-08
库存状态：上海 0 , 新加坡12, 英国248
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.50
价格：
库存编号：
制造商编号：STP80NF55-08
库存状态：上海 0 , 新加坡12, 英国248
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 12.50 |
| 25+ | CNY 11.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:80A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.008ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:300W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- 功率, Pd:300W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:870mJ
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:55V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电容值, Ciss 典型值:3850pF
- 电流, Id 连续:80A
- 电流, Idm 脉冲:320A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.00204
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:80A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):0.008ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:300W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- 功率, Pd:300W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:870mJ
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:55V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电容值, Ciss 典型值:3850pF
- 电流, Id 连续:80A
- 电流, Idm 脉冲:320A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
