简体中文STMICROELECTRONICS - STW20NM50 - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STW20NM50
库存状态：上海 0 , 新加坡136, 英国1379
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 51.70
价格：
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制造商编号：STW20NM50
库存状态：上海 0 , 新加坡136, 英国1379
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最小订单量：1
多重订单量：1
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 51.70 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:20A
- 电压, Vds 最大:550V
- 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:214W
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:40nC
- 功率, Pd:214W
- 封装类型:TO-247
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:550V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.00443
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:20A
- 电压, Vds 最大:550V
- 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:214W
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:40nC
- 功率, Pd:214W
- 封装类型:TO-247
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:550V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
