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STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - 场效应管 MOSFET N TO-247

STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STW45NM50
库存状态：上海31, 新加坡262, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 92.70
价格：
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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:45A
  • 电压, Vds 最大:550V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:417W
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • N沟道栅极电荷 Qg:117nC
  • 功率, Pd:417W
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:550V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:10V
  • 电流, Id 连续:45A
  • 电流, Idm 脉冲:180A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.1ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V
产品属性：

重量（公斤）：0.00443
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:45A
  • 电压, Vds 最大:550V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:417W
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • N沟道栅极电荷 Qg:117nC
  • 功率, Pd:417W
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:550V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:10V
  • 电流, Id 连续:45A
  • 电流, Idm 脉冲:180A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.1ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V