STMICROELECTRONICS - STW9NK70Z - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商:STMICROELECTRONICS
库存编号:
制造商编号:STW9NK70Z
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国279
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 20.38
价格:
库存编号:
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包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 20.38
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 20.38 |
| 25 - 99 | CNY 16.02 |
| 100 - 249 | CNY 12.84 |
| 250+ | CNY 11.27 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:7.5A
- 电压, Vds 最大:700V
- 开态电阻, Rds(on):1.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:156W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:68nC
- 功率, Pd:156W
- 封装类型:TO-247
- 封装类型, 替代:SOT-249
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:700V
- 电压, Vds 典型值:700V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1.2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
产品属性:
重量(公斤):0.00443
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:7.5A
- 电压, Vds 最大:700V
- 开态电阻, Rds(on):1.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:156W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:68nC
- 功率, Pd:156W
- 封装类型:TO-247
- 封装类型, 替代:SOT-249
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:700V
- 电压, Vds 典型值:700V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1.2ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V

