简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFL100N50P - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS264
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFL100N50P
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 155.50
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFL100N50P
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 155.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 155.50 |
| 25+ | CNY 145.10 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:70A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.052ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:5V
- 功耗:625W
- 封装类型:ISOPLUS-264
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:240nC
- 功率, Pd:625W
- 封装类型:ISOPLUS-264
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:20000pF
- 电流, Id 连续:70A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:200ns
- 热阻 Rth:0.2
产品属性：
重量（公斤）：0.01
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:70A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.052ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:5V
- 功耗:625W
- 封装类型:ISOPLUS-264
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:240nC
- 功率, Pd:625W
- 封装类型:ISOPLUS-264
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:20000pF
- 电流, Id 连续:70A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:200ns
- 热阻 Rth:0.2
