IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR180N085 - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247
描述信息:
- 晶体管??性:N
- 电压, Vds 最大:85V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 封装类型:ISOPLUS-247
- N沟道栅极电荷 Qg:65nC
- 功率, Pd:400W
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:85V
- 电容值, Ciss 典型值:9100pF
- 电流, Id 连续:76A
- 电流, Idm 脉冲:720A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:250ns
- 热阻 Rth:0.3
产品属性:
重量(公斤):0.005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管??性:N
- 电压, Vds 最大:85V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 封装类型:ISOPLUS-247
- N沟道栅极电荷 Qg:65nC
- 功率, Pd:400W
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:85V
- 电容值, Ciss 典型值:9100pF
- 电流, Id 连续:76A
- 电流, Idm 脉冲:720A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:250ns
- 热阻 Rth:0.3

