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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N50P - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N50P - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:IXFR36N50P
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):
价格:

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描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • N沟道栅极电荷 Qg:93nC
  • 功率, Pd:156W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:5500pF
  • 电流, Id 连续:19A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 隔离电压:2500V
  • 时间, trr 最大:200ns
  • 热阻 Rth:0.75
产品属性:

重量(公斤):0.005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • N沟道栅极电荷 Qg:93nC
  • 功率, Pd:156W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:5500pF
  • 电流, Id 连续:19A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 隔离电压:2500V
  • 时间, trr 最大:200ns
  • 热阻 Rth:0.75