简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXKC20N60C - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS220
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXKC20N60C
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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制造商编号：IXKC20N60C
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单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 封装类型:ISOPLUS-220
- N沟道栅极电荷 Qg:79nC
- 功率, Pd:125W
- 封装类型:ISOPLUS-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电容值, Ciss 典型值:3000pF
- 电流, Id 连续:14A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.9V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:610ns
- 热阻 Rth:1
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
- 封装类型:ISOPLUS-220
- N沟道栅极电荷 Qg:79nC
- 功率, Pd:125W
- 封装类型:ISOPLUS-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电容值, Ciss 典型值:3000pF
- 电流, Id 连续:14A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.9V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:610ns
- 热阻 Rth:1
