简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXKR40N60C
库存状态：上海 0 , ??加坡 0 , 英国5
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 135.80
价格：
库存编号：
制造商编号：IXKR40N60C
库存状态：上海 0 , ??加坡 0 , 英国5
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 135.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 135.80 |
| 25+ | CNY 118.10 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:38A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.07ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:280W
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:ISOPLUS-247
- N沟道栅极电荷 Qg:250nC
- 功率, Pd:280W
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电容值, Ciss 典型值:7600pF
- 电流, Id 连续:38A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.9V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:650ns
- 热阻 Rth:0.45
产品属性：
重量（公斤）：0.005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:38A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.07ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:280W
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:ISOPLUS-247
- N沟道栅极电荷 Qg:250nC
- 功率, Pd:280W
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电容值, Ciss 典型值:7600pF
- 电流, Id 连续:38A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.9V
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:650ns
- 热阻 Rth:0.45
