IXYS SEMICONDUCTOR - IXUC60N10 - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS220
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.0165ohm
- 封装类型:ISOPLUS-220
- N沟道栅极电荷 Qg:18nC
- 功率, Pd:150W
- 封装类型:ISOPLUS-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:60A
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:80ns
- 热阻 Rth:1
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.0165ohm
- 封装类型:ISOPLUS-220
- N沟道栅极电荷 Qg:18nC
- 功率, Pd:150W
- 封装类型:ISOPLUS-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:60A
- 隔离电压:2500V
- 时间, trr 最大:80ns
- 热阻 Rth:1

