SEMIKRON - SEMIX503GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V
描述信息:
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
- ??压, Vceo:1.2V
- 封装类型:SEMiX 3s
- 封装类型:SEMiX 3s
- 晶体管类型:Dual Trench IGBT
- 上升时间:55ns
- 最大连续电流, Ic:480A
- 电压, Vrrm:1200V
- 电流, Icm 脉冲:600A
- 电流, Ifs 最大:2000A
- 集电极电流, Ic 平均值:480A
产品属性:
重量(公斤):0.4
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
- ??压, Vceo:1.2V
- 封装类型:SEMiX 3s
- 封装类型:SEMiX 3s
- 晶体管类型:Dual Trench IGBT
- 上升时间:55ns
- 最大连续电流, Ic:480A
- 电压, Vrrm:1200V
- 电流, Icm 脉冲:600A
- 电流, Ifs 最大:2000A
- 集电极电流, Ic 平均值:480A