TOSHIBA - 2SK3667 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:600V
- 开??电阻, Rds(on):1ohm
- 封装类型:TO-220SIS
- 功率, Pd:45W
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:Switching
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性:
重量(公斤):0.0017
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:600V
- 开??电阻, Rds(on):1ohm
- 封装类型:TO-220SIS
- 功率, Pd:45W
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:Switching
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V

