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STMICROELECTRONICS - STD2NK70Z-1 - 场效应管 MOSFET N型 I-PAK

STMICROELECTRONICS - STD2NK70Z-1 - 场效应管 MOSFET N型 I-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD2NK70Z-1
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:700V
  • 开态电阻, Rds(on):7ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 封装类型:I-PAK
  • 功率, Pd:45W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:110mJ
  • 封装类型:I-PAK
  • 晶体管类型:SuperMESH - Zener Protected
  • 热阻, 结至外壳 A:2.78°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:700V
  • 电容值, Ciss 典型值:280pF
  • 电流, Id 连续:1.6A
  • 电流, Idm 脉冲:6.4A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:1.6A
  • 阈值??压, Vgs th 典型值:3.75V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.00029
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:700V
  • 开态电阻, Rds(on):7ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 封装类型:I-PAK
  • 功率, Pd:45W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:110mJ
  • 封装类型:I-PAK
  • 晶体管类型:SuperMESH - Zener Protected
  • 热阻, 结至外壳 A:2.78°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:700V
  • 电容值, Ciss 典型值:280pF
  • 电流, Id 连续:1.6A
  • 电流, Idm 脉冲:6.4A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:1.6A
  • 阈值??压, Vgs th 典型值:3.75V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V