国内专业的IC销售商 --中其伟业科技有限公司
简体中文

STMICROELECTRONICS - STD38NH02LT4 - 场效应管 MOSFET N型 D-PAK

STMICROELECTRONICS - STD38NH02LT4 - 场效应管 MOSFET N型 D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD38NH02LT4
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：

订购
描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:24V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0135ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 封装类型:D-PAK
  • 功率, Pd:40W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:250mJ
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 热阻, 结至外壳 A:3.75°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:24V
  • 电容值, Ciss 典型值:1070pF
  • 电流, Id 连续:38A
  • 电流, Idm 脉冲:152A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0135ohm
  • 通态???阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.025ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.00031
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:24V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0135ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 封装类型:D-PAK
  • 功率, Pd:40W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:250mJ
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 热阻, 结至外壳 A:3.75°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:24V
  • 电容值, Ciss 典型值:1070pF
  • 电流, Id 连续:38A
  • 电流, Idm 脉冲:152A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0135ohm
  • 通态???阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.025ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V