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STMICROELECTRONICS - STD5NK52ZD-1 - 场效应管 MOSFET N型 I-PAK

STMICROELECTRONICS - STD5NK52ZD-1 - 场效应管 MOSFET N型 I-PAK
制造商:STMICROELECTRONICS
库存编号:
制造商编号:STD5NK52ZD-1
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):
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描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:520V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 封装类型:I-PAK
  • 功率, Pd:70W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
  • 封装类型:I-PAK
  • 晶体管类型:SuperMESH - Zener Protected
  • 热阻, 结至外壳 A:1.78°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:520V
  • 电容值, Ciss 典型值:529pF
  • 电流, Id 连续:4.4A
  • 电流, Idm 脉冲:17.6A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:4.4A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性:

重量(公斤):0.00029
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:520V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 封装类型:I-PAK
  • 功率, Pd:70W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
  • 封装类型:I-PAK
  • 晶体管类型:SuperMESH - Zener Protected
  • 热阻, 结至外壳 A:1.78°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:520V
  • 电容值, Ciss 典型值:529pF
  • 电流, Id 连续:4.4A
  • 电流, Idm 脉冲:17.6A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:4.4A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V