简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDA16N50_F109 - 场效应管 MOSFET N TO-3P
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDA16N50_F109
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国173
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 47.40
价格：
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制造商编号：FDA16N50_F109
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多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 47.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 47.40 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:16.5A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:205W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:205W
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:16.5A
- 电流, Idm 脉冲:66A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
产品属性：
重量（公斤）：0.005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:16.5A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.38ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:205W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:205W
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:16.5A
- 电流, Idm 脉冲:66A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
