简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDFMA3N109 - 场效应管 MOSFET N型 MLP6
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDFMA3N109
库存状态：上海 0 , 新加坡110, 英国3109
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.60
价格：
库存编号：
制造商编号：FDFMA3N109
库存状态：上海 0 , 新加坡110, 英国3109
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 5.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2.9A
- 电压, Vds 最大:30V
- ??态电阻, Rds(on):0.123ohm
- 电压 @ Rds测量:1V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:MicroFET
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:109
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.5W
- 封装类型:MLP-6
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2.9A
- 电压, Vds 最大:30V
- ??态电阻, Rds(on):0.123ohm
- 电压 @ Rds测量:1V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:MicroFET
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:109
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.5W
- 封装类型:MLP-6
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
